匿名使用者
匿名使用者 發問時間: 社會與文化語言 · 2 0 年前

麻煩一下英翻中有蠻多專有名詞我看不懂請大家幫我翻一下好嗎

Since the work functions of most clean elemental surfaces lie between 3.5 and 4.5 eV and typical electron affinities are 1–2 eV, sputtering is expected to be an inefficient means of negative ion formation. In general, this is true, but several workers have shown that the presence of a thin layer of cesium on the sputter surface significantly reduces the work function and dramatically improves negative ion yields. Although cesium has the lowest work function (1.81 eV) of all elements, the work function of the cesium-covered surface is generally lower than that of bulk cesium. As a result, the negative ion emission probability can be substantially increased. Experiments show that the optimum cesium coverage is known as 0.6 monolayers. For MSNIS employed in this study, the typical negative ion production yield for carbon was 15–25%. The detailed characteristics of MSNIS including energy profiles and plasma properties are described in elsewhere.

3 個解答

評分
  • 匿名使用者
    2 0 年前
    最佳解答

    因為多數乾淨的自然力表面的工作作用放在3.5 之間並且4.5 eV 和典型的電子親合力是1.V2 eV, 飛濺被預計是消極離子形成無結果的手段。 總之, 這是真實的, 但幾名工作者表示, 銫薄層的出現在飛濺表面極大減少工作作用和巨大改進消極離子出產量。 雖然銫有最低的工作作用(1.81 eV) 的所有元素, 銫被蓋的表面的工作作用比那一般低大塊銫。 結果, 消極離子放射可能性可能極大地被增加。 實驗表示, 最宜的銫覆蓋面為人所知作為0.6 單層。 為MSNIS 被使用在這項研究中, 典型的消極離子生產出產量為碳是15.V25% 。 MSNIS 的詳細的特徵包括能量外形和血漿物產在別處被描述。

  • 匿名使用者
    2 0 年前

    因為通常清潔基板表面所需的功函數約在3.5到4.5電子伏特之間,而電子親和力為1至2電子伏特,所以濺鍍法對於負離子的生成不是一個很有效的方式。事實上已經有一些人提出,若濺鍍表面上有一層銫的薄膜,將明顯降低其功函數並進而提高負離子產率。雖然在所有元素之中,銫的功函數最低(1.81eV),但是薄膜型態的銫可以得到比塊材型態更低的功函數。本實驗顯示銫的覆蓋厚度有一最佳值約為0.6個單層。在這個研究中,碳以MSNIS(磁控濺鍍負離子來源法)法可得到的負離子產率約在15-25%。至於其詳細的特性包括能量分布及電漿的性質將另外討論。

  • 2 0 年前

    自從大部分的工作功能以後在 3.5 和 4.5個電子伏和典型的電子密切關係之間的乾淨元素的表面謊言是 1-2個電子伏,濺散被期望是一個陰離子形成的無效率方法。大體上,這是真實的,但是一些工人已經顯示在咕噥上的銫的瘦層出現重要地升至水面減少工作功能並且戲劇性地改善陰離子生產量。 雖然銫有最低的工作所有元素的功能 (1.81個電子伏), th 的工作功能 .

    可能性能實質上被增加。 實驗顯示最適宜的銫報導即是 0.6 monolayers 。 因為因為碳是 15-25% , MSNIS 在這一項研究,典型的陰離子生產生產量中雇用。 包括能源描繪和血漿特性的 MSNIS 的詳細特性在其他地方中被描述.

    參考資料: ㄏㄏ
還有問題?馬上發問,尋求解答。