關於電子學的解釋名詞

1.偏壓

2.掺雜

3.空乏區

4.離子化

5.障壁電壓

6.多數載子

7.動態阻抗

8.累增崩潰

9.電子電洞對

10.二極體特性曲線

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    1.偏壓(Bias): 對PN接面提供的電壓,有順偏(FB,提供P對N相對為正的電壓)、逆偏(RB,提供P對N相對為負的電壓)兩種。

    2.掺雜(Doping): 在純質半導體(Intrinsic Semiconductance)中植入V族施體(Doner,如磷等)或III族受體(Accepter,如硼等)雜質以改變其導電特性稱之。

    3.空乏區(Depletion Region): 當PN接面初形成時,N型半導體中的電子會擴散到P型半導體中與電洞結合,P型半導體中的電洞會擴散到N型半導體中與電子結合,同時在接面形成一個電位差阻止上述擴散行為,此電場強度區域稱為空乏區。

    4.離子化(Ionize): 電子脫離原子核的束縛而使形成離子的最小能量稱之。

    5.障壁電壓(Potential Barrier): 空乏區中電場強度形成的電位稱之。

    6.多數載子(Majority Carrier): N型半導體中的電子、P型半導體中的電洞稱之。

    7.動態阻抗(Dynamic Resistance): 或稱增量阻抗(Increamental Resistance),即二極體在順向偏壓區的交流小訊號電阻值。

    8.累增崩潰(Avalanche Breakdown): 對中低濃度半導體而言,當PN接面的逆向偏壓逐漸上升時,自由電子受電場影響逆向速度增加,而其動能大於能隙(Energy Gap)時,會撞出其他鍵內電子行成自由電子,而產生大電流的現象。

    9.電子電洞對(Free Eletron-Hole Pair): 當電子獲得足夠的能量脫離價電帶(Valence Band)而進入傳導帶(Conduction Band)而形成自由電子,而在共價鍵內形成電洞效應稱之。

    10.二極體特性曲線: 二極體不同vD及其對應iD所繪出的iD-vD曲線稱之。

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