毛毛 發問時間: 科學其他:科學 · 1 0 年前

關於載子濃度和膜厚的關係

載子濃度如果以n形半導體來說是指donor density

就他的單位而言是1/cm3

材料是金屬氧化物薄膜

donor density卻會隨著膜厚而增加

這樣有可能是什麼原因壓

還是donor density的意義不只如此壓

謝謝

1 個解答

評分
  • 光光
    Lv 6
    1 0 年前
    最佳解答

    我們可以討論這個問題

    donor density 當然是你 doping 多少就是多少,至於濃度隨著膜厚增加而增加,我想是因為金屬氧化物滲透或者說擴散到了半導體內,以致於影響了 donor density,而膜厚越厚,這些 impurity 來源就越多,或者說在沈積薄膜的過程中,溫度升高,加重了擴散現象,因此造成 donor density 改變

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