阿偉 發問時間: 社會與文化語言 · 1 0 年前

機械的論文翻譯~~急急急(點數20點以上)

這是有關機械論文的翻譯 因為使用翻譯軟體翻譯的句法都不太順 故而請教大家謝謝

ZnO thin films by MOCVD

Zinc oxide has unique properties that make it attractive for a variety of electronic and electro optical applications. Recent technological advances for zinc oxide thin film deposition, along with the availability of production-worthy deposition tools, should create new opportunities for zinc oxide based devices.

Zinc oxide (ZnO) is a II-VI semiconductor material, with a bandgap energy of 3.3eV.The high-bandgap energy puts it in the general class of wide-bandgap semiconductors, which includes gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC) and zinc selenide (ZnSe). Of these, GaN has received the most attention recently, particularly in the areas of blue/ultraviolet lasers and light emitting diodes (LED’s).

ZnO eyes the GaN niche

However, ZnO has several important properties that could change this [1]. Similar to GaN, ZnO is a direct bandgap semiconductor which means lasers could potentially be made from the material.

The 3.3eV (375nm) bandgap energy of ZnO puts it in the blue to ultraviolet range of interest for sensor and data storage applications. With suitable alloying, the bandgap of ZnO can be tuned to specific emission values. Zinc oxide has a very high exciton binding energy (60meV), which could potentially make it the brightest emitter of the common wide bandgap semiconductors.

p.s希望不要使用翻譯軟體 這段文字只是其中一部分 可幫忙翻譯下文的話 請留個言 小弟感激不盡 會額外贈送點數20點以上

4 個解答

評分
  • ?
    Lv 7
    1 0 年前
    最佳解答

    用MOCVD製成的氧化鋅薄膜

    氧化鋅的獨特性質使它在許多電子和光電的應用上受到注意.最近在薄膜沉積技術以及生產的工具方面的發展應該為以氧化鋅為主體的裝置創造新的機會.

    氧化鋅(ZnO)是個二,六族半導體材料,能隙為3.3電子伏特.與包括氮化鎵(GaN), 碳化矽(SiC), 硒化鋅(ZnSe)等大能隙半導體同級. 這幾個之中, GaN在藍/紫外光雷射和發光二極體(LED)的應用上最近很受到重視.

    氧化鋅專注於氮化鎵不足的地方

    氧化鋅有許多重要的特質足以改變這個均勢[1]. ZnO跟GaN類似,是個直接能隙材料,也就是說有可能直接從它做成雷射.

    ZnO的3.3電子伏特的能隙(375奈米),在感應器和資料儲存的應用上屬於藍光到紫外光的範圍.加以適當的合金,可以將它細調到特定值.氧化鋅具有的高束縛能(60meV)使它有機會成為大能隙半導體中最亮的發光體.

  • 10 年前

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  • 1 0 年前

    ZnO 薄膜由MOCVD

    氧化鋅有使它有吸引力為各種各樣的電子和electro 光學應用的獨特的物產。最近技術躍進為氧化鋅薄膜證言, 與生產值得的證言工具的可及性一起, 應該創造新機會為氧化鋅基於的設備。

    氧化鋅(ZnO) 是II-VI 半導體材料, 以3.3.eV.The 高bandgap

    的能量bandgap 能量投入它在寬bandgap 半導體一般組, 包括鎵氮化物(GaN), 碳化硅(SiC) 並且鋅硒化物(ZnSe) 。這些, GaN 最近受到了多數注意, 特別在blue/ultraviolet lasers 和發光二極管區域(被帶領) 。

    ZnO 眼睛GaN 適當位置然而, ZnO 有能改變這的幾重要物產[ 1 ] 。相似與GaN, ZnO 是意味的一個直接bandgap 半導體lasers 能由材料潛在地被做。

    ZnO 3.3.eV (375nm) bandgap 能量投入它在藍色對紫外範圍利益為傳感器和資料存儲應用。以適當熔合, ZnO bandgap 可能被定調對具體放射價值。氧化鋅有非常高的激子結合能(60meV), 能潛在地做它最明亮的放射器共同的寬bandgap 半導體。

  • 1 0 年前

    氧化鋅有做它有魅力的為了各種的電子的和光電的應用的獨特的財產. 新近的工藝提升為了鋅氧化物薄電影具結書, 長遠和這可用性的生產-傑出人物具結書工具, 應該創造新機會為了鋅氧化物立基於設備.

    氧化鋅( ZnO )是微光-垂直距離半導體材料,和能帶隙精力的3.3個薩爾瓦多.這高的-能帶隙精力投擊它在這一般階級的寬闊-能帶隙半導體, 哪個包括鎵氮化物 (自動導向系統), 矽碳化物 (原文如此) 和鋅硒化物 (ZnSe). 的這些,自動導向系統收到了最注意最近,獨特地在區域的藍/紫外線鐳射和發光二極體(發光二級管的).

    ZnO看自動導向系統壁龕

    然而,ZnO有會改變這[ 1個 ]的個別的重要的財產. 類似於軋,ZnO是潛在地意味鐳射可能是從材料製造的徑直的能帶隙半導體.

    3.3個薩爾瓦多( 375個海哩)能帶隙精力的ZnO放它在藍色的到紫外線區的發生興趣為了感測器和數據保存應用人. 和適當的合金,能帶隙的ZnO能將發射率價值裝入大桶. 鋅氧化物有一非常高的激子裝訂精力 (60兆電子伏), 哪個能潛在地做它這明亮的發射器的這普通的寬闊能帶隙半導體......

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