90奈米65奈米之間的差異(20點)

Question

如提

但請回答 技術面的問題

例如 製程的方式

CMOS顆粒的大小 數量差別

應用成面等等

"請"不要講一個比較小

或是奈米是10^-9次方公尺 之類的廢話

或是像

線路寬度：

65nm<90nm

晶片發熱量：

65nm<90nm

晶片能達到的最高時脈：

65nm>90nm

也算是廢話

注 如果只有回答廢話 就算只有一個人回答我也不會給點

Answer 1

最佳解答

[1]製程的方式

- Strain silicon (應變矽) 技術 增加20%速度

- Silicide 由 Co(鈷)改為 Ni(鎳)

-MOS gate oxide用 HIGH K (keep same 耗電量)

-黃光由 193 dry 沒大 變=> 45nm改為 193wet(用水增加NA )

- Cu (銅製程)沒變

[2]CMOS顆粒的大小 數量差別

- Chip size shrink 35%, chip number per wafer increase 30%

[3]應用成面等等

- CPU(中央處理器)

-GPU(繪圖卡)

- DSP(手機晶片)

65奈米目前在Intel/tsmc 已經量產兩年 算是成熟製程

參考資料： Intel/tsmc/nvidia/qualcomm