DDR3 之 Dynamic ODT

誰能幫我找這Dynamic ODT的資料, 越詳細越好, 英文的也行

感謝

4 個解答

評分
  • Cxx
    Lv 5
    1 0 年前
    最佳解答

    ODT是內建核心的終結電阻器

    使用DDR SDRAM的主機板上面為了防止數據線終端反射訊號(回授)

    需要大量的終結電阻

    它大大增加了主板的製造成本

    實際上

    不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的

    終結電阻的大小決定了數據線的訊號比和反射率

    終結電阻小則數據線的訊號反射低但是訊噪比也較低

    終結電阻高則數據線的訊噪比高但是訊號反射也會增加

    因此主機板上的終結電阻並不能非常好的與記憶體模組匹配

    而且還會在一定程度上影響訊號品質

    Dynamic ODT顧名思

    就是可以動態的調整ODT的參

    DDR3可以根據自已的特點調整合適的終結電阻

    這樣可以保證最佳的訊號波形

    使用ODT不但可以降低主機板成本

    還能得到最佳的訊號品質

    ↓Micron的官方網站資料↓

    Dynamic ODT (Rtt_WR) enables the DRAM to change termination values during a WRITE without having to perform a MODE REGISTER SET command. When Rtt_Wr and Rtt_Nom are both enabled, the DRAM will change termination values from Rtt_Nom to Rtt_Wr at the beginning of the WRITE burst. Once the burst is complete, the termination will be changed back to the Rtt_Nom value. Rtt_Wr can be used independently of Rtt_Nom, but termination will be on WRITEs only.

    ↓JEDEC的DDR3 Program提到的↓

    The DDR3 on-die termination function will be reviewed, including a description and rationale for the function, ODT control modes, synchronous ODT, asynchronous ODT and dynamic ODT. Extensive memory subsystem examples will be used, at a range of operating speeds, bus structures (pt-to-pt, multi-drop, fly-by, etc) and drive conditions. Key ODT timing parameters, mode register settings and ODT functionality during various memory operations will be covered. Timing diagrams and simulation results will allow attendees to comprehend the benefits of the ODT feature when properly applied to various applications ranging from on-board to multi-rank.

    參考資料: 自己+網路資源
  • taketa
    Lv 4
    4 年前

    Ddr3 Odt

  • 匿名使用者
    6 年前

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  • 1 0 年前

    搭配DDR3記憶體模組 的ODT(On-DIMM Termination)技術則可降低高速運作下記憶體信號的回授,提高記憶體時脈的極限值。

    What is Dynamic ODT - For DDR3, Dynamic ODT (Rtt_Wr) will allow the DRAM to change ODT values during a WRITE command without a MODE REGISTER SET command. When Rtt_Wr and Rtt_Nom are both enabled, the DRAM will change from Rtt_Nom to Rtt_Wr at the beginning of the WRITE burst. After the burst, ODT will change back to Rtt_Nom. Rtt_Wr can be used independently of Rtt_Nom, but termination will be on WRITEs only.

    The termination values for DDR3 are:

    Rtt_Nom of 120, 60, 40, 30, and 20 ohms.

    Dynamic ODT (Rtt_Wr) values are 120 and 60 ohms

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